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[컨콜] SK하이닉스 “6F² D램 최대한 활용…4F²·3D D램 전환 기술 개발”

SK하이닉스가 기존 6F² D램 셀 구조를 최대한 활용하면서 차세대 4F² 및 3차원(3D) D램 기술 개발을 병행하겠다고 밝혔다.SK하이닉스는 28일 2026년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “극자외선(EUV) 기반 미세공정과 공정 혁신을 통해 기존 6F² 플랫폼의 기술적 확장 여력을 확보했다”고 설명했다.4F²는 기존 6F²보다 메모리 셀 면적을 줄여…